ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Transition metal impurities in semiconductors : electronic structure and physical properties

دانلود کتاب ناخالصی های فلزات واسطه در نیمه هادی ها: ساختار الکترونیکی و خواص فیزیکی

Transition metal impurities in semiconductors : electronic structure and physical properties

مشخصات کتاب

Transition metal impurities in semiconductors : electronic structure and physical properties

ویرایش:  
نویسندگان: ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9810218834, 9789810218836 
ناشر: World Scientific 
سال نشر: 1994 
تعداد صفحات: 354 
زبان: English 
فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 4 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 56,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 7


در صورت تبدیل فایل کتاب Transition metal impurities in semiconductors : electronic structure and physical properties به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ناخالصی های فلزات واسطه در نیمه هادی ها: ساختار الکترونیکی و خواص فیزیکی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب ناخالصی های فلزات واسطه در نیمه هادی ها: ساختار الکترونیکی و خواص فیزیکی

این کتاب تئوری حالت های الکترونی ناخالصی های فلزات واسطه در نیمه هادی ها را در ارتباط با نظریه کلی ناخالصی های ایزوالکترونیک مورد بحث قرار می دهد. این شامل توضیحات مختصری از داده های تجربی موجود برای ناخالصی های فلزات واسطه متعلق به گروه های آهن، پالادیوم و پلاتین و ناخالصی های خاکی کمیاب در نیمه هادی های عنصری (ترکیبات III-IV، II-VI و IV-VI) و در چندین ترکیب اکسیدی است. Ti2، BaTiO3، SrTiO3). همچنین شامل کاربردهای این تئوری برای خواص نوری، الکتریکی و رزونانس نیمه هادی های دوپ شده توسط ناخالصی های فلزات واسطه است. این کتاب نظریه ای را ارائه می دهد که قبلاً توصیفات نوار لیگاند و ناخالصی های فلز واسطه را متحد می کند. این تئوری را در زمینه تئوری کلی ناخالصی‌های خنثی در نیمه‌رساناها توصیف می‌کند و قابلیت‌های این توصیف را برای توضیح ویژگی‌های تجربی اولیه نیمه‌هادی‌های دوپ‌شده توسط ناخالصی‌های فلزات واسطه نشان می‌دهد. بحث مفصلی از نتایج تجربی مختلف و تفسیر نظری آنها انجام شده است. این کتاب شامل سه بخش است. دو بخش اول چندین مدل دقیقا قابل حل را در نظر می گیرند و تکنیک های عددی را توصیف می کنند. تمام مدل‌ها و شبیه‌سازی‌ها یک الگوی کلی را تشکیل می‌دهند که فلز واسطه و ناخالصی‌های خاکی کمیاب را در نیمه‌رساناها توصیف می‌کند. بخش پایانی از این نظریه به منظور پرداختن به ویژگی‌های مختلف تجربی مشاهده شده این سیستم‌ها استفاده می‌کند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book discusses the theory of the electron states of transition metal impurities in semiconductors in connection with the general theory of isoelectronic impurities. It contains brief descriptions of the experimental data available for transition metal impurities belonging to iron, palladium and platinum groups and for rare-earth impurities in elemental semiconductors (III-IV, II-VI and IV-VI compounds) and in several oxide compounds (Ti2, BaTiO3, SrTiO3). Also included are applications of the theory to the optical, electrical and resonance properties of semiconductors doped by the transition metal impurities.The book presents a theory unifying previously proposed ligand-field and band descriptions of transition metal impurities. It describes the theory in the context of the general theory of neutral impurities in semiconductors and demonstrates the capabilities of this description to explain the basic experimental properties of semiconductors doped by transition metal impurities. A detailed discussion of various experimental results and their theoretical interpretation is carried out.This book comprises three parts. The first two parts consider several exactly solvable models and describe numerical techniques. All the models and simulations constitute a general pattern describing transition metal and rare-earth impurities in semiconductors. The final part uses this theory in order to address various experimentally observed properties of these systems.





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی