برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Electromigration Modeling at Circuit Layout Level

دانلود کتاب مدل‌سازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرح‌بندی مدار

مشخصات کتاب

Electromigration Modeling at Circuit Layout Level

دسته بندی: برق و مغناطیس
ویرایش: 2013 
نویسندگان: Cher Ming Tan. Feifei He  
سری: SpringerBriefs in Applied Sciences and Technology / SpringerBriefs in Reliability 
ISBN (شابک) : 9814451207, 9789814451208 
ناشر: Springer 
سال نشر: 2013 
تعداد صفحات: 114 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 5 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 44,000

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 8

در صورت تبدیل فایل کتاب Electromigration Modeling at Circuit Layout Level به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مدل‌سازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرح‌بندی مدار نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب مدل‌سازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرح‌بندی مدار

قابلیت اطمینان مدار مجتمع (IC) نگرانی فزاینده‌ای در فناوری آی‌سی امروزی است که در آن خرابی‌های اتصال به طور قابل‌توجهی با کاهش ابعاد اتصال و افزایش تعداد سطوح اتصال، نرخ خرابی IC‌ها را افزایش می‌دهد. مهاجرت الکتریکی (EM) اتصالات به مکانیسم اصلی شکست تبدیل شده است که قابلیت اطمینان مدار را تعیین می کند. این مختصر خوانندگان را به ضرورت مدل‌سازی مدارهای واقعی سه‌بعدی برای ارزیابی EM سیستم اتصال در آی‌سی‌ها و چگونگی ایجاد چنین مدل‌هایی برای کاربردهای خود می‌پردازد. یک مدل الکتروترمو ساختاری سه بعدی (3 بعدی) برخلاف مدل های دو بعدی مبتنی بر چگالی جریان معمولی (2D) در سطح طرح مدار ارائه شده است. فهرست مطالب پوشش مدل‌سازی مهاجرت الکتریکی در سطح طرح‌بندی مدار شابک 9789814451208 شابک 9789814451215 پیشگفتار فهرست نمادها فصل 1 مقدمه 1.1 مروری بر مهاجرت الکتریکی 1.2 مدلسازی مهاجرت الکتریکی 1.3 سازماندهی کتاب 1.4 خلاصه فصل 2 ساخت و شبیه سازی مدل مدار سه بعدی 2.1 مقدمه 2.2 استخراج چیدمان و ساخت مدل سه بعدی 2.3 شبیه سازی های گذرا الکترو-ترمو-ساختاری و محاسبه واگرایی شار اتمی 2.3.1 تجزیه و تحلیل حرارتی-الکتریکی گذرا o 2.3.1.1 شرایط مرزی o 2.3.1.2 بارهای الکتریکی o 2.3.1.3 اعمال بارهای الکتریکی 2.3.2 تحلیل ساختاری- حرارتی گذرا o 2.3.2.1 شرایط مرزی o 2.3.2.2 بارهای حرارتی 2.3.3 کاربرد زیرمدلینگ 2.3.4 محاسبه واگرایی شار اتمی 2.4 نتایج و بحث های شبیه سازی 2.4.1 توزیع چگالی جریان و دما 2.4.2 تغییرات گذرا دما در طول عملیات مدار 2.4.3 اثر ابعاد بستر بر روی دمای مدار 2.4.4 تغییرات تنش حرارتی مکانیکی گذرا در طول عملیات مدار 2.4.5 توزیع واگرایی های شار اتمی 2.5 اثرات ضخامت مانع و دی الکتریک کم j بر قابلیت اطمینان مدار EM 2.6 خلاصه فصل 3 مقایسه عملکرد EM در ساختارهای مدار و آزمایش 3.1 مقدمه 3.2 راه اندازی ساخت و شبیه سازی مدل 3.3 توزیع واگرایی های شار اتمی تحت شرایط عملیاتی مختلف 3.4 اثرات ساختارهای اتصال متقابل بر قابلیت اطمینان مدار EM 3.5 اثرات شماره انگشت ترانزیستور بر قابلیت اطمینان مدار EM 3.6 خلاصه فصل 4 مدل‌سازی قابلیت اطمینان EM به هم در سطح چیدمان مدار 4.1 مقدمه 4.2 راه اندازی ساخت و شبیه سازی مدل 4.3 توزیع واگرایی های شار اتمی 4.3.1 توزیع کل AFD مدل کامل 4.3.2 توزیع کل AFD مدل فرعی 4.4 اثرات طرح و پارامترهای فرآیند بر قابلیت اطمینان مدار EM 4.4.1 عرض خط و درجه چرخش 4.4.2 جهت گیری ترانزیستور 4.4.3 فاصله بین ترانزیستور 4.4.4 دمای بدون استرس متالیزاسیون 4.5 خلاصه فصل 5 نکات پایانی 5.1 نتیجه گیری 5.2 توصیه هایی برای کار آینده

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Integrated circuit (IC) reliability is of increasing concern in present-day IC technology where the interconnect failures significantly increases the failure rate for ICs with decreasing interconnect dimension and increasing number of interconnect levels. Electromigration (EM) of interconnects has now become the dominant failure mechanism that determines the circuit reliability. This brief addresses the readers to the necessity of 3D real circuit modelling in order to evaluate the EM of interconnect system in ICs, and how they can create such models for their own applications. A 3-dimensional (3D) electro-thermo-structural model as opposed to the conventional current density based 2-dimensional (2D) models is presented at circuit-layout level. Table of Contents Cover Electromigration Modeling at Circuit Layout Level ISBN 9789814451208 ISBN 9789814451215 Preface Contents Symbols Chapter 1 Introduction 1.1 Overview of Electromigration 1.2 Modeling of Electromigration 1.3 Organization of the Book 1.4 Summary Chapter 2 3D Circuit Model Construction and Simulation 2.1 Introduction 2.2 Layout Extraction and 3D Model Construction 2.3 Transient Electro-Thermo-Structural Simulations and Atomic Flux Divergence Computation 2.3.1 Transient Thermal-Electric Analysis o 2.3.1.1 Boundary Conditions o 2.3.1.2 Electrical Loads o 2.3.1.3 Application of the Electrical Loads 2.3.2 Transient Structural-Thermal Analysis o 2.3.2.1 Boundary Conditions o 2.3.2.2 Thermal Loads 2.3.3 Application of Submodeling 2.3.4 Computation of Atomic Flux Divergences 2.4 Simulation Results and Discussions 2.4.1 Current Density and Temperature Distributions 2.4.2 Transient Temperature Variation During Circuit Operation 2.4.3 Effect of the Substrate Dimension on the Circuit Temperature 2.4.4 Transient Thermo-Mechanical Stress Variation During Circuit Operation 2.4.5 Distributions of the Atomic Flux Divergences 2.5 Effects of Barrier Thickness and Low-j Dielectric on Circuit EM Reliability 2.6 Summary Chapter 3 Comparison of EM Performances in Circuit and Test Structures 3.1 Introduction 3.2 Model Construction and Simulation Setup 3.3 Distributions of Atomic Flux Divergences Under Different Operation Conditions 3.4 Effects of Interconnect Structures on Circuit EM Reliability 3.5 Effects of Transistor Finger Number on Circuit EM Reliability 3.6 Summary Chapter 4 Interconnect EM Reliability Modeling at Circuit Layout Level 4.1 Introduction 4.2 Model Construction and Simulation Setup 4.3 Distributions of Atomic Flux Divergences 4.3.1 Total AFD Distribution of the Full Model 4.3.2 Total AFD Distribution of the Sub-Model 4.4 Effects of Layout and Process Parameters on Circuit EM Reliability 4.4.1 Line Width and Degree of Turning 4.4.2 Transistor Orientation 4.4.3 Inter-Transistor Distance 4.4.4 Stress-Free Temperature of the Metallization 4.5 Summary Chapter 5 Concluding Remarks 5.1 Conclusions 5.2 Recommendations for Future Work