Bauelemente und Grundschaltungen

سطح فعلی مهندسی برق، که شامل اتوماسیون، فناوری کامپیوتر، تامین انرژی، مخابرات و بسیاری موارد دیگر است، از جمله با فناوری پیشرفته در قطعات الکترونیکی امکان پذیر شد. این اجزا می توانند مدارهای بسیار یکپارچه، «تراشه ها» یا اجزای منفرد، به اصطلاح اجزای «گسسته» باشند. تراشه ها از عناصر بسیاری تشکیل شده اند که اساساً همان اجزای جداگانه هستند. این کتاب به اجزای الکترونیکی به شکلی منسجم و به همین منظور است که به راحتی قابل درک است. ساختار، تابع، معادلات منحنی مشخصه و کاربردها در مدارهای پایه بر اساس ایده های فیزیکی ساده توسعه یافته و توضیح داده شده است. اهمیت ویژه ای به روشن شدن ارتباط بین حالت فیزیکی عملکرد از یک سو و عملکرد الکتریکی در مدارهای پایه از سوی دیگر داده شد. - پس از یک بخش کوتاه در مورد اجزای غیرفعال، ساخت و کاربردهای اساسی دیودهای ساخته شده از مواد نیمه هادی سیلیکون، ترانزیستورهای دوقطبی و اثر میدانی، به ویژه ترانزیستورهای MOS شرح داده می شود. مدل‌هایی که معمولاً برای برنامه‌های تحلیلی مانند SPICE و پارامترهای مدل ضروری استفاده می‌شوند نیز مورد بحث قرار گرفته‌اند.

Der heute erreichte Stand der Elektrotechnik, der die Automatisierung, Computertechnik, Energieversorgung, Telekommunikation und vieles mehr umfasst, wurde unter anderem durch eine ausgefeilte Technik der elektronischen Bauelemente ermöglicht. Diese Bauelemente können hochintegrierte Schaltungen, die "Chips", oder Einzelbauelemente, sogenannte "diskrete" Bauelemente, sein. Die Chips sind aus vielen Elementen zusammengesetzt, die prinzipiell den Einzelbauelementen gleichen. Das vorliegende Buch behandelt die elektronischen Bauelemente in schlüssiger und, so ist die Absicht, gut verständlicher Form. Aus einfachen physikalischen Vorstellungen heraus werden Aufbau, Funktion, Kennliniengleichungen und Anwendungen in Grundschaltungen entwickelt und erläutert. Dabei wurde besonderer Wert darauf gelegt, den Zusammenhang zwischen physikalischer Wirkungsweise einerseits und elektrischer Funktion in den Grundschaltungen andererseits zu verdeutlichen. - Nach einem kurzen Abschnitt über passive Bauelemente werden aus dem Halbleiterwerkstoff Silizium hergestellte Dioden, bipolare und Feldeffekttransistoren, insbesondere MOS-Transistoren, in Aufbau und Grundanwendungen beschrieben. Auch die für Analyseprogramme wie z.B. SPICE gebräuchlichen Modelle und die wesentlichen Modellparameter werden besprochen.