دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Deep-Submicron CMOS ICs: From Basics to ASICs
دانلود کتاب آی سی های CMOS Deep-Submicron: از پایه تا ASIC
مشخصات کتاب
Deep-Submicron CMOS ICs: From Basics to ASICs
ویرایش: Softcover reprint of the original 2nd ed. 2000
نویسندگان: Ir. H. J. M. Veendrick (auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9781461368533, 9781461541332
ناشر: Springer US
سال نشر: 2000
تعداد صفحات: 566
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 20 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 56,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Deep-Submicron CMOS ICs: From Basics to ASICs به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب آی سی های CMOS Deep-Submicron: از پایه تا ASIC نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب آی سی های CMOS Deep-Submicron: از پایه تا ASIC
امروزه فناوری‌های CMOS تقریباً 90 درصد از کل مدارهای مجتمع
(IC) را تشکیل می‌دهند. این کتاب مقدمه ای ضروری برای IC های CMOS
ارائه می دهد. محتویات این کتاب بر اساس انتشار قبلی، با عنوان
'MOS Ics' است که به ترتیب به زبان هلندی و انگلیسی توسط Delta
Press (Amerongen، هلند، 1990) و VCH (Weinheim، آلمان، 1992)
منتشر شده است.
این کتاب حاوی مواد پیشرفته است، اما همچنین بر جنبه‌های
مقیاس‌بندی تا و فراتر از فناوری‌ها و طرح‌های CMOS 0.1 میلی‌متری
تمرکز دارد. این به وضوح اصول عملیاتی اساسی CMOS را توصیف می کند
و بینش قابل توجهی را در مورد جنبه های مختلف طراحی، اجرا و
کاربرد ارائه می دهد. برخلاف سایر آثار در مورد این موضوع، این
کتاب تمام رشته‌های مرتبط با ICهای CMOS زیر میکرون عمیق، از جمله
فیزیک، طراحی، فناوری و بسته‌بندی، طراحی کم مصرف و یکپارچگی
سیگنال را بررسی می‌کند. متن بر اساس دروس داخلی فیلیپس است که تا
به امروز توسط بیش از 1500 مهندس تکمیل شده است. این کتاب که با
دقت ساختار یافته و با صدها شکل، عکس و تمرین عمیق غنی شده است،
برای هدف خودآموزی مناسب است.
این ویرایش دوم حاوی برخی اصلاحات است و نسبت به نسخه قبلی کاملاً
به روز شده است. در یک و نیم سال از وجود خود، نسخه اول قبلاً در
بیش از ده دوره داخلی استفاده شده است. چندین اشتباه تایپی و
مواردی از این دست که در این دوره ها نمایان شده بود، اصلاح شده
است. علاوه بر این، بیشتر فصل ها با مواد پیشرفته به روز شده اند.
اعدادی که روندها و نقشه‌های راه را توصیف می‌کنند نیز
به‌روزرسانی شده‌اند تا محتوای این کتاب حداقل برای پنج سال دیگر
ارزشمند باشد.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Nowadays, CMOS technologies account for almost 90% of all
integrated circuits (ICs). This book provides an essential
introduction to CMOS ICs. The contents of this book are based
upon a previous publication, entitled 'MOS Ics', which was
published in Dutch and English by Delta Press (Amerongen, The
Netherlands, 1990) and VCH (Weinheim, Germany, 1992),
respectively.
This book contains state-of-the-art material, but also focuses
on aspects of scaling up to and beyond 0.1 mm CMOS technologies
and designs. It clearly describes the fundamental CMOS
operating principles and presents substantial insight into
various aspects of design, implementation and application. In
contrast to other works on this topic, the book explores all
associated disciplines of deep-submicron CMOS ICs, including
physics, design, technology and packaging, low-power design and
signal integrity. The text is based upon in-house Philips
courseware, which, to date, has been completed by more than
1500 engineers. Carefully structured and enriched by hundreds
of figures, photograhs and in-depth exercises, the book is
well-suited for the purpose of self-study.
This second edition contains some corrections and is completely
updated with respect to the previous one. In the one-and-a-half
years of its existance, the first edition has already been used
in more than ten in-house courses. Several typing errors and
the like, which showed up during these courses, have been
corrected. Moreover, most of the chapters have been updated
with state-of-the-art material. Numbers that describe trends
and roadmaps have been updated as well, to let the contents of
this book be valuable for at least another five years.
فهرست مطالب
Content:
Front Matter....Pages i-xxxi
Basic Principles....Pages 1-52
Physical and geometrical effects on the behaviour of the MOS transistor....Pages 53-79
Manufacture of MOS devices....Pages 81-128
CMOS circuits....Pages 129-208
Special circuits, devices and technologies....Pages 209-230
Memories....Pages 231-272
Very Large Scale Integration (VLSI) and ASICs....Pages 273-335
Low power, a hot topic in IC design....Pages 337-384
Circuit reliability and signal integrity in deep-submicron designs....Pages 385-440
Testing, debugging, yield and packaging....Pages 441-502
Effects of scaling on MOS IC design and consequences for the roadmap....Pages 503-525
Back Matter....Pages 526-539
