ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب High-Frequency Bipolar Transistors: Physics, Modeling, Applications

دانلود کتاب ترانزیستورهای دوقطبی فرکانس بالا: فیزیک، مدل سازی، کاربردها

High-Frequency Bipolar Transistors: Physics, Modeling, Applications

مشخصات کتاب

High-Frequency Bipolar Transistors: Physics, Modeling, Applications

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: Springer Series in Advanced Microelectronics 11 
ISBN (شابک) : 9783642632051, 9783642559006 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 2003 
تعداد صفحات: 670 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 13 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 39,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب ترانزیستورهای دوقطبی فرکانس بالا: فیزیک، مدل سازی، کاربردها: الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، مایکروویو، RF و مهندسی نوری



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب High-Frequency Bipolar Transistors: Physics, Modeling, Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ترانزیستورهای دوقطبی فرکانس بالا: فیزیک، مدل سازی، کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب ترانزیستورهای دوقطبی فرکانس بالا: فیزیک، مدل سازی، کاربردها



این کتاب ارائه مفصلی از ترانزیستورهای دوقطبی با فرکانس بالا در فناوری سیلیکون یا سیلیکون-ژرمانیوم با تأکید ویژه بر مدل‌های فشرده پیشرفته امروزی و پایه‌های فیزیکی آنها ارائه می‌کند. بخش اول اصول ترانزیستورهای دوقطبی در سطح دانشجویی را معرفی می کند. بخش دوم فیزیک و مدل سازی ترانزیستورهای دوقطبی را با جزئیات در نظر می گیرد. قسمت 3 پیکربندی مدارهای پایه، جنبه های یکپارچه سازی فرآیند و برنامه ها را شرح می دهد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The book gives a detailed presentation of high-frequency bipolar transistors in silicon or silicon-germanium technology with particular emphasis given to todays advanced compact models and their physical foundations. The first part introduces the fundamentals of bipolar transistors on a graduate student level. The second part considers the physics and modeling of bipolar transistors in detail. Part 3 describes basic circuit configurations, aspects of process integration and applications.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages II-XX
Front Matter....Pages 1-1
An Introductory Survey....Pages 3-116
Front Matter....Pages 117-117
Semiconductor Physics Required for Bipolar-Transistor Modeling....Pages 119-174
Physics and Modeling of Bipolar Junction Transistors....Pages 175-358
Physics and Modeling of Heterojunction Bipolar Transistors....Pages 359-410
Noise Modeling....Pages 411-459
Front Matter....Pages 461-461
Basic Circuit Configurations....Pages 463-509
Process Integration....Pages 511-550
Applications....Pages 551-574
Back Matter....Pages 575-658




نظرات کاربران