برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Silicon Carbide: Recent Major Advances

دانلود کتاب کاربید سیلیکون: پیشرفت های عمده اخیر

مشخصات کتاب

Silicon Carbide: Recent Major Advances

دسته بندی: فیزیک حالت جامد
ویرایش: 1 
نویسندگان: F. Bechstedt,  J. Furthmüller,  U. Grossner,  C. Raffy (auth.),  Professor Dr. W. J. Choyke,  Professor Dr. H. Matsunami,  Dr. G. Pensl (eds.)  
سری: Advanced Texts in Physics 
ISBN (شابک) : 9783642623332, 9783642188701 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 2004 
تعداد صفحات: 909 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 22 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 45,000

کلمات کلیدی مربوط به کتاب کاربید سیلیکون: پیشرفت های عمده اخیر: مواد نوری و الکترونیکی، خصوصیات و ارزیابی مواد، سطوح و واسط ها، لایه های نازک، فیزیک ماده متراکم، اپتیک، الکترونیک نوری، پلاسمونیک و دستگاه های نوری، مهندسی، عمومی

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 8

در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon Carbide: Recent Major Advances به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب کاربید سیلیکون: پیشرفت های عمده اخیر نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب کاربید سیلیکون: پیشرفت های عمده اخیر

از زمان انتشار سیلیکون کاربید در سال 1997 - مروری بر سؤالات اساسی و کاربردها در فناوری دستگاه فعلی که توسط Choyke و همکاران ویرایش شد، پیشرفت چشمگیری در هر دو زمینه اساسی و جنبه های توسعه میدان SiC بنابراین نیاز فزاینده ای برای به روز رسانی جامعه علمی در مورد رویدادهای مهم در تحقیق و توسعه از آن زمان وجود دارد. ویراستاران دوباره یک تیم برجسته از محققان و مهندسان طراح برجسته SiC جهان را گرد هم آورده اند تا در مورد آخرین پیشرفت های SiC بنویسند. این کتاب به پنج دسته اصلی تقسیم می شود: نظریه، رشد کریستال، شخصیت پردازی، پردازش و دستگاه ها. تمام تلاش شده است تا مقالات تا حد امکان به روز شوند و بالاترین استانداردهای دقت را تضمین کنند. همانطور که در مورد کتاب های قبلی SiC وجود داشت، بسیاری از مقالات یک دهه بعد مرتبط خواهند بود تا این کتاب در کنار آثار قبلی به عنوان یک حجم مرجع دائمی و ضروری جای خود را بگیرد.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Since the 1997 publication of Silicon Carbide - A Review of Fundamental Questions and Applications to Current Device Technology edited by Choyke, et al., there has been impressive progress in both the fundamental and developmental aspects of the SiC field. So there is a growing need to update the scientific community on the important events in research and development since then. The editors have again gathered an outstanding team of the world's leading SiC researchers and design engineers to write on the most recent developments in SiC. The book is divided into five main categories: theory, crystal growth, characterization, processing and devices. Every attempt has been made to make the articles as up-to-date as possible and assure the highest standards of accuracy. As was the case for earlier SiC books, many of the articles will be relevant a decade from now so that this book will take its place next to the earlier work as a permanent and essential reference volume.

فهرست مطالب

Front Matter....Pages I-XXXIV
Front Matter....Pages 1-1
Zero- and Two-Dimensional Native Defects....Pages 3-25
Defect Migration and Annealing Mechanisms....Pages 27-55
Hydrogen in SiC....Pages 57-88
Electronic Properties of Stacking Faults and Thin Cubic Inclusions in SiC Polytypes....Pages 89-118
Front Matter....Pages 119-119
Principles and Limitations of Numerical Simulation of SiC Boule Growth by Sublimation....Pages 121-135
Defect Formation and Reduction During Bulk SiC Growth....Pages 137-162
High Nitrogen Doping During Bulk Growth of SiC....Pages 163-178
Homoepitaxial and Heteroepitaxial Growth on Step-Free SiC Mesas....Pages 179-205
Low-Defect 3 C -SiC Grown on Undulant-Si (001) Substrates....Pages 207-228
New Development in Hot Wall Vapor Phase Epitaxial Growth of Silicon Carbide....Pages 229-250
Formation of SiC Thin Films by Ion Beam Synthesis....Pages 251-277
Front Matter....Pages 279-279
Atomic Structure of SiC Surfaces....Pages 281-316
The Continuum of Interface-Induced Gap States — The Unifying Concept of the Band Lineup at Semiconductor Interfaces — Application to Silicon Carbide....Pages 317-341
Contributions to the Density of Interface States in SiC MOS Structures....Pages 343-371
Properties of Nitrided Oxides on SiC....Pages 373-386
Hall Effect Studies of Electron Mobility and Trapping at the SiC/SiO 2 Interface....Pages 387-410
Front Matter....Pages 411-411
Optical Properties of SiC: 1997–2002....Pages 413-435
Cyclotron Resonance Studies of Effective Masses and Band Structure in SiC....Pages 437-460
Electronic Structure of Deep Defects in SiC....Pages 461-492
Phosphorus-Related Centers in SiC....Pages 493-515
Front Matter....Pages 411-411
Hall Scattering Factor for Electrons and Holes in SiC....Pages 517-536
Radiotracer Deep Level Transient Spectroscopy....Pages 537-561
Vacancy Defects Detected by Positron Annihilation....Pages 563-584
Characterization of Defects in SiC Crystals by Raman Scattering....Pages 585-605
Characterization of Low-Dimensional Structures in SiC Using Advanced Transmission Electron Microscopy....Pages 607-628
Synchrotron White Beam X-Ray Topography and High Resolution X-RayDiffraction Studies of Defects in SiC Substrates, Epilayers and Device Structures....Pages 629-648
Front Matter....Pages 649-649
Ohmic Contacts for Power Devices on SiC....Pages 651-669
Micromachining of SiC....Pages 671-698
Surface Preparation Techniques for SiC Wafers....Pages 699-710
Epitaxial Growth and Device Processing of SiC on Non-Basal Planes....Pages 711-733
Front Matter....Pages 735-735
SiC Power Bipolar Transistors and Thyristors....Pages 737-767
High Voltage SiC Devices....Pages 769-783
Power MOSFETs in 4 H -SiC: Device Design and Technology....Pages 785-811
Normally-Off Accumulation-Mode Epi-Channel Field Effect Transistor....Pages 813-837
Development of SiC Devices for Microwave and RF Power Amplifiers....Pages 839-868
Advances in SiC Field Effect Gas Sensors....Pages 869-896
Back Matter....Pages 897-899