دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Ferroelectric Thin Films: Basic Properties and Device Physics for Memory Applications
دانلود کتاب لایه‌های نازک فروالکتریک: ویژگی‌های اساسی و فیزیک دستگاه برای کاربردهای حافظه
مشخصات کتاب
Ferroelectric Thin Films: Basic Properties and Device Physics for Memory Applications
ویرایش: 1 نویسندگان: Yoshihiro Ishibashi (auth.), Masanori Professor Okuyama, Yoshihiro Ishibashi (eds.) سری: Topics in Applied Physics 98 ISBN (شابک) : 3540241639, 9783540241638 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 2005 تعداد صفحات: 263 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 10 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 54,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب لایه‌های نازک فروالکتریک: ویژگی‌های اساسی و فیزیک دستگاه برای کاربردهای حافظه: مغناطیس، مواد مغناطیسی، کریستالوگرافی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، مواد فلزی، فیزیک و فیزیک کاربردی در مهندسی
در صورت تبدیل فایل کتاب Ferroelectric Thin Films: Basic Properties and Device Physics for Memory Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب لایه‌های نازک فروالکتریک: ویژگی‌های اساسی و فیزیک دستگاه برای کاربردهای حافظه نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب لایه‌های نازک فروالکتریک: ویژگی‌های اساسی و فیزیک دستگاه برای کاربردهای حافظه
لایه‌های نازک فروالکتریک به دلیل کاربردهای متنوع و در حال توسعه در دستگاه‌های حافظه، FeRAM، حسگرهای مادون قرمز، سنسورهای پیزوالکتریک و محرک‌ها همچنان توجه زیادی را به خود جلب می‌کنند. این کتاب که هدف آن دانشجویان، محققین و توسعه دهندگان است، اطلاعات دقیقی در مورد خواص اساسی این مواد و فیزیک دستگاه مربوطه ارائه می دهد. همه نویسندگان متخصصان معتبر در این زمینه هستند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Ferroelectric thin films continue to attract much attention due to their developing, diverse applications in memory devices, FeRAM, infrared sensors, piezoelectric sensors and actuators. This book, aimed at students, researchers and developers, gives detailed information about the basic properties of these materials and the associated device physics. All authors are acknowledged experts in the field.
فهرست مطالب
Theoretical Aspects of Phase Transitions in Ferroelectric Thin Films....Pages 3-23
Chemical Solution Depositionof Layer-Structured Ferroelectric Thin Films....Pages 25-59
Pb-Based Ferroelectric Thin Films Prepared by MOCVD....Pages 59-77
Spontaneous Polarization and Crystal Orientation Control of MOCVD PZT and Bi 4 Ti 3 O 12 -Based Films....Pages 77-91
Rhombohedral PZT Thin Films Prepared by Sputtering....Pages 91-105
Scanning Nonlinear Dielectric Microscopy....Pages 105-126
Analysis of Ferroelectricity and Enhanced Piezoelectricity near the Morphotropic Phase Boundary....Pages 127-148
Correlation Between Domain Structures and Dielectric Properties in Single Crystals of Ferroelectric Solid Solutions....Pages 147-162
Relaxor Superlattices: Artificial Control of the Ordered–Disordered State of B -Site Ions in Perovskites....Pages 161-175
Physics of Ferroelectric Interfaces: An Attempt at Nanoferroelectric Physics....Pages 177-199
Preparation and Properties of Ferroelectric–Insulator–Semiconductor Junctions Using YMnO 3 Thin Films....Pages 199-220
Improvement of Memory Retention in Metal–Ferroelectric–Insulator–Semiconductor (MFIS) Structures....Pages 219-241
