ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Defects in High-k Gate Dielectric Stacks: Nano-Electronic Semiconductor Devices

دانلود کتاب نقص در پشته های دی الکتریک دروازه High k: دستگاه های نیمه هادی نانو الکترونیکی

Defects in High-k Gate Dielectric Stacks: Nano-Electronic Semiconductor Devices

مشخصات کتاب

Defects in High-k Gate Dielectric Stacks: Nano-Electronic Semiconductor Devices

ویرایش: 1 
نویسندگان: , ,   
سری: NATO Science Series II: Mathematics, Physics and Chemistry 220 
ISBN (شابک) : 9781402043659, 9781402043673 
ناشر: Springer Netherlands 
سال نشر: 2006 
تعداد صفحات: 493 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 26 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 31,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب نقص در پشته های دی الکتریک دروازه High k: دستگاه های نیمه هادی نانو الکترونیکی: مهندسی الکترونیک و کامپیوتر، مواد متراکم، فیزیک و فیزیک کاربردی در مهندسی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب Defects in High-k Gate Dielectric Stacks: Nano-Electronic Semiconductor Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب نقص در پشته های دی الکتریک دروازه High k: دستگاه های نیمه هادی نانو الکترونیکی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب نقص در پشته های دی الکتریک دروازه High k: دستگاه های نیمه هادی نانو الکترونیکی



هدف این کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو (ARW) با عنوان "نقص در دستگاه های نیمه هادی دی الکتریک پیشرفته نانو دی الکتریک High-K" که از 11 تا 14 ژوئیه 2005 در سن پترزبورگ روسیه برگزار شد، این بود که مسائل علمی بسیار پیچیده مربوط به استفاده از مواد پیشرفته با ثابت دی الکتریک بالا (high-k) در دستگاه های نیمه هادی نسل بعدی را بررسی کنید. ویژگی خاص این کارگاه تمرکز بر موضوع مهمی از ایرادات این کلاس جدید از مواد بود. یکی از موانع کلیدی برای ادغام high-k در فناوری نانو Si، نقص الکترونیکی در مواد با k بالا است. مشخص شده است که نقص در دی الکتریک های با k بالا وجود دارد و آنها نقش مهمی در عملکرد دستگاه دارند. با این حال، اطلاعات بسیار کمی در مورد ماهیت عیوب یا تکنیک های ممکن برای از بین بردن یا حداقل به حداقل رساندن آنها وجود دارد. با توجه به فقدان یک جایگزین امکان‌پذیر در آینده نزدیک، تحقیقات علمی متمرکز و برنامه‌های توسعه تهاجمی بر روی دی‌الکتریک‌های گیت باکیفیت بالا و دستگاه‌های مرتبط باید ادامه یابد تا الکترونیک نیمه‌رسانا به عنوان یک نیروی تولیدکننده درآمد رقابتی در بازار جهانی باقی بماند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The goal of this NATO Advanced Research Workshop (ARW) entitled “Defects in Advanced High-k Dielectric Nano-electronic Semiconductor Devices”, which was held in St. Petersburg, Russia, from July 11 to 14, 2005, was to examine the very complex scientific issues that pertain to the use of advanced high dielectric constant (high-k) materials in next generation semiconductor devices. The special feature of this workshop was focus on an important issue of defects in this novel class of materials. One of the key obstacles to high-k integration into Si nano-technology are the electronic defects in high-k materials. It has been established that defects do exist in high-k dielectrics and they play an important role in device operation. However, very little is known about the nature of the defects or about possible techniques to eliminate, or at least minimize them. Given the absence of a feasible alternative in the near future, well-focused scientific research and aggressive development programs on high-k gate dielectrics and related devices must continue for semiconductor electronics to remain a competitive income producing force in the global market.



فهرست مطالب

PVD-HIGH-K GATE DIELECTRICS WITH FUSI GATE AND INFLUENCE OF PDA TREATMENT ON ON-STATE DRIVE CURRENT....Pages 1-15
EXTREMELY HIGH-DENSITY CAPACITORS WITH ALD HIGH-K DIELECTRIC LAYERS....Pages 17-28
TOWARDS UNDERSTANDING OF PROCESSINGNANOSTRUCTURE- PROPERTY INTER-RELATIONSHIPS IN HIGHK/METAL GATE STACKS....Pages 29-40
ON THE CHARACTERIZATION OF ELECTRONICALLY ACTIVE DEFECTS IN HIGH-к GATE DIELECTRICS....Pages 41-59
INELASTIC ELECTRON TUNNELLING SPECTROSCOPY (IETS) STUDY OF HIGH-K DIELECTRICS....Pages 61-72
CHARACTERIZATION AND MODELING OF DEFECTS IN HIGH-K MEASUREMENTS LAYERS THROUGH FAST ELECTRICAL TRANSIENT....Pages 73-84
CHARACTERIZATION OF ELECTRICALLY ACTIVE DEFECTS IN HIGH-K GATE DIELECTRICS USING CHARGE PUMPING....Pages 85-96
IMPACT OF HIGH-κ PROPERTIES ON MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS....Pages 97-108
STRUCTURAL EVOLUTION AND POINT DEFECTS IN METAL OXIDE-BASED HIGH-κ GATE DIELECTRICS....Pages 109-121
DISORDERED STRUCTURE AND DENSITY OF GAP STATES IN HIGH-PERMITTIVITY THIN SOLID FILMS....Pages 123-134
INTERDIFFUSION STUDIES OF HIGH-K GATE DIELECTRIC STACK CONSTITUENTS....Pages 135-146
XPS/LEIS STUDY OF HIGH-K RARE EARTH (LU, YB) OXIDES AND SILICATES ON SI: THE EFFECT OF ANNEALING ON MICROSTRUCTURE EVOLUTION....Pages 147-160
TRANSIENT CHARGING EFFECTS AND ITS IMPLICATIONS TO THE RELIABILITY OF HIGH-K DIELECTRICS....Pages 161-173
DEFECT ENERGY LEVELS IN HIGH-K GATE OXIDES....Pages 175-187
DEFECT-RELATED ISSUES IN HIGH-K DIELECTRICS....Pages 189-202
STUDYING THE EFFECTS OF NITROGEN AND HAFNIUM INCORPORATION INTO THE SIO 2 /SI(100) INTERFACE WITH REPLICA-EXCHANGE MOLECULAR DYNAMICS AND DENSITYFUNCTIONAL- THEORY CALCULATIONS....Pages 203-214
PROBING POINT DEFECTS AND TRAPS IN STACKS OF ULTRATHIN HAFNIUM OXIDES ON (100)SI BY ELECTRON SPIN RESONANCE: INTERFACES AND N INCORPORATION....Pages 215-226
MECHANISM OF CHARGE TRAPPING REDUCTION IN SCALED HIGH-κ GATE STACKS....Pages 227-236
ELECTRICALLY ACTIVE INTERFACE AND BULK SEMICONDUCTOR DEFECTS IN HIGH-K / GERMANIUM STRUCTURES....Pages 237-248
DEFECT AND COMPOSITION ANALYSIS OF AS-DEPOSITED AND NITRIDED (100)SI / SIO 2 / HF 1-X SI X O 2 STACKS BY ELECTRON PARAMAGNETIC RESONANCE AND ION BEAM ANALYSIS....Pages 249-261
DEFECTS AT THE HIGH-κ /SEMICONDUCTOR INTERFACES INVESTIGATED BY SPIN DEPENDENT SPECTROSCOPIES....Pages 263-276
FIXED OXIDE CHARGE IN Ru-BASED CHEMICAL VAPOUR DEPOSITED HIGH-κ GATE STACKS....Pages 277-286
ELECTRICAL DEFECTS IN ATOMIC LAYER DEPOSITED HFO 2 FILMS ON SILICON: INFLUENCE OF PRECURSOR CHEMISTRIES AND SUBSTRATE TREATMENT....Pages 287-298
THE EFFECTS OF RADIATION AND CHARGE TRAPPING ON THE RELIABILITY OF ALTERNATIVE GATE DIELECTRICS....Pages 299-321
CAN LEIS SPECTRA CONTAIN INFORMATION ON SURFACE ELECTRONIC STRUCTURE OF HIGH-K DIELECTRICS?....Pages 323-330
LOW SUBSTRATE DAMAGE HIGH-K REMOVAL AFTER GATE PATTERNING....Pages 331-338
MONITORING OF FERMI LEVEL VARIATIONS AT METAL/HIGH-K INTERFACES WITH IN SITU X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY....Pages 339-347
STRUCTURE, COMPOSITION AND ORDER AT INTERFACES OF CRYSTALLINE OXIDES AND OTHER HIGH-K MATERIALS ON SILICON....Pages 349-360
INTERFACE FORMATION DURING EPITAXIAL GROWTH OF BINARY METAL OXIDES ON SILICON....Pages 361-372
EFFECT OF CHEMICAL ENVIRONMENT AND STRAIN ON OXYGEN VACANCY FORMATION ENERGIES AT SILICONSILICON OXIDE INTERFACES....Pages 373-383
DIELECTRIC AND INFRARED PROPERTIES OF ULTRATHIN SiO 2 LAYERS ON Si(100)....Pages 385-396
THE (1 0 0) SURFACE OF SEMICONDUCTOR SILICON (IN PASSIVATION PRACTICAL CONDITIONS): PREPARATION, EVOLUTION,....Pages 397-410
CORRELATION BETWEEN DEFECTS, LEAKAGE CURRENTS AND CONDUCTION MECHANISMS IN THIN HIGH-K DIELECTRIC LAYERS....Pages 411-422
ELECTRONIC STRUCTURE OF ZRO 2 AND HFO 2 ....Pages 423-434
HIGH-K GATE STACKS ELECTRICAL CHARACTERIZATION AT THE NANOSCALE USING CONDUCTIVE-AFM....Pages 435-446
MAGNETIC DEFECTS IN PRISTINE AND HYDROGENTERMINATED NANODIAMONDS....Pages 447-456
ON THE IMPORTANCE OF ATOMIC PACKING IN DETERMINING DIELECTRIC PERMITTIVITIES....Pages 457-470
INVESTIGATION OF THE ELECTRONIC PROPERTIES OF THIN DIELECTRIC FILMS BY SCANNING PROBE MICROSCOPY....Pages 471-479




نظرات کاربران