دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems: Physics and Technology
دانلود کتاب نیمه هادی ها و سیستم های مواد نیترید III-V رقیق: فیزیک و فناوری
مشخصات کتاب
Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems: Physics and Technology
ویرایش: 1 نویسندگان: K. M. Yu, M. A. Scarpulla, W. Shan, J. Wu (auth.), Ayşe Erol (eds.) سری: Materials Science 105 ISBN (شابک) : 9783540745280, 9783540745297 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 2008 تعداد صفحات: 606 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 13 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 59,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب نیمه هادی ها و سیستم های مواد نیترید III-V رقیق: فیزیک و فناوری: مواد نوری و الکترونیکی، فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، مهندسی، عمومی، اپتیک، اپتوالکترونیک، پلاسمونیک و دستگاه های نوری
در صورت تبدیل فایل کتاب Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems: Physics and Technology به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نیمه هادی ها و سیستم های مواد نیترید III-V رقیق: فیزیک و فناوری نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب نیمه هادی ها و سیستم های مواد نیترید III-V رقیق: فیزیک و فناوری
یک چالش عمده فعلی برای دستگاه های نیمه هادی، توسعه مواد برای نسل بعدی سیستم های ارتباطی نوری و برنامه های کاربردی تبدیل انرژی خورشیدی است. اخیراً، تحقیقات گسترده نشان داده است که ورود تنها چند درصد نیتروژن به شبکه نیمه هادی III-V منجر به کاهش چشمگیر شکاف باند می شود. این کشف امکان استفاده از این سیستم های مواد را برای کاربردهای مختلف از لیزر گرفته تا سلول های خورشیدی باز کرده است. فیزیک و فناوری نیمه هادی های نیترید رقیق III-V و سیستم های جدید مواد نیترید رقیق وضعیت فعلی تحقیق و توسعه در نیتریدهای رقیق III-V را با 24 فصل از گروه های تحقیقاتی برجسته که پیشرفت های اخیر در رشد را پوشش می دهد، مرور می کند. تکنیک‌ها، توصیف تجربی ساختار نواری، نقص‌های انتقال حامل، خواص انتقال، رفتار دینامیکی اتم‌های N، کاربردهای دستگاه، مدل‌سازی طراحی دستگاه، مدارهای مجتمع نوری جدید، و نیتروژن جدید حاوی مواد III-V.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
A major current challenge for semiconductor devices is to develop materials for the next generation of optical communication systems and solar power conversion applications. Recently, extensive research has revealed that an introduction of only a few percentages of nitrogen into III-V semiconductor lattice leads to a dramatic reduction of the band gap. This discovery has opened the possibility of using these material systems for applications ranging from lasers to solar cells. Physics and Technology of Dilute III-V Nitride Semiconductors & Novel Dilute Nitride Material Systems reviews the current status of research and development in dilute III-V nitrides, with 24 chapters from prominent research groups covering recent progress in growth techniques, experimental characterization of band structure, defects carrier transport, transport properties, dynamic behavior of N atoms, device applications, modeling of device design, novel optoelectronic integrated circuits, and novel nitrogen containing III-V materials.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages I-XXXII
Energetic Beam Synthesis of Dilute Nitrides and Related Alloys....Pages 1-34
Impact of Nitrogen Ion Density on the Optical and Structural Properties of MBE Grown GaInNAs/GaAs (100) and (111)B Quantum Wells....Pages 35-63
Electronic Band Structure of Highly Mismatched Semiconductor Alloys....Pages 65-89
Electronic Structure of GaN x As 1−x Under Pressure....Pages 91-121
Experimental Studies of GaInNAs Conduction Band Structure....Pages 123-161
Electromodulation Spectroscopy of GaInNAsSb/GaAs Quantum Wells: The Conduction Band Offset and the Electron Effective Mass Issues....Pages 163-179
The Effects of Nitrogen Incorporation on Photogenerated Carrier Dynamics in Dilute Nitrides....Pages 181-197
Influence of the Growth Temperature on the Composition Fluctuations of GaInNAs/GaAs Quantum Wells....Pages 199-221
Assessing the Preferential Chemical Bonding of Nitrogen in Novel Dilute III–As–N Alloys....Pages 223-253
The Hall Mobility in Dilute Nitrides....Pages 255-281
Spin Dynamics in Dilute Nitride....Pages 283-299
Optical and Electronic Properties of GaInNP Alloys: A New Material for Lattice Matching to GaAs....Pages 301-316
Properties and Laser Applications of the GaP-Based (GaNAsP)-Material System for Integration to Si Substrates....Pages 317-341
Comparison of the Electronic Band Formation and Band Structure of GaNAs and GaNP....Pages 343-367
Doping, Electrical Properties and Solar Cell Application of GaInNAs....Pages 369-404
Elemental Devices and Circuits for Monolithic Optoelectronic-Integrated Circuit Fabricated in Dislocation-Free Si/III–V-N Alloy Layers Grown on Si Substrate....Pages 405-418
Analysis of GaInNAs-Based Devices: Lasers and Semiconductor Optical Amplifiers....Pages 419-447
Dilute Nitride Quantum Well Lasers by Metalorganic Chemical Vapor Deposition....Pages 449-501
Interdiffused GaInNAsSb Quantum Well on GaAs for 1,300–1,550 nm Diode Lasers....Pages 503-524
Vertical Cavity Semiconductor Optical Amplifiers Based on Dilute Nitrides....Pages 525-561
Dilute Nitride Photodetector and Modulator Devices....Pages 563-586
Back Matter....Pages 587-592
