دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Narrow Gap Semiconductors 2007: Proceedings of the 13th International Conference, 8–12 July, 2007, Guildford, UK
دانلود کتاب Narrow Gap Semiconductors 2007: مجموعه مقالات سیزدهمین کنفرانس بین المللی، 8 تا 12 ژوئیه، 2007، گیلدفورد، انگلستان
مشخصات کتاب
Narrow Gap Semiconductors 2007: Proceedings of the 13th International Conference, 8–12 July, 2007, Guildford, UK
ویرایش: 1 نویسندگان: W. R. Branford, A. M. Gilbertson, P. D. Buckle, L. Buckle, T. Ashley, F. Magnus (auth.), Prof. Ben Murdin, Dr. Steve Clowes (eds.) سری: Springer Proceedings in Physics 119 ISBN (شابک) : 9781402084249, 9781402084256 ناشر: Springer Netherlands سال نشر: 2008 تعداد صفحات: 188 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 10 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 54,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب Narrow Gap Semiconductors 2007: مجموعه مقالات سیزدهمین کنفرانس بین المللی، 8 تا 12 ژوئیه، 2007، گیلدفورد، انگلستان: مواد نوری و الکترونیکی، خصوصیات و ارزیابی مواد، اپتیک کاربردی، اپتوالکترونیک، دستگاه های نوری، مهندسی، عمومی
در صورت تبدیل فایل کتاب Narrow Gap Semiconductors 2007: Proceedings of the 13th International Conference, 8–12 July, 2007, Guildford, UK به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب Narrow Gap Semiconductors 2007: مجموعه مقالات سیزدهمین کنفرانس بین المللی، 8 تا 12 ژوئیه، 2007، گیلدفورد، انگلستان نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب Narrow Gap Semiconductors 2007: مجموعه مقالات سیزدهمین کنفرانس بین المللی، 8 تا 12 ژوئیه، 2007، گیلدفورد، انگلستان
نیمه هادی های با شکاف باریک زمینه تحقیقاتی هیجان انگیزی را فراهم کرده اند و تعدادی از ویژگی های فیزیکی و مادی شدید را نشان می دهند. آنها سیستم‌های مواد تاسیس شده برای آشکارسازها و تابش‌های فروسرخ هستند و با پیشرفت‌های جدید در فناوری، این مواد به‌عنوان مسیری مناسب برای الکترونیک با سرعت بالا و توان کم در حال ظهور هستند. انواع جدیدی از نیمه هادی های با شکاف باریک، مانند گرافن و سایر نانوبلورهای مرکب، نیز علاقه دوباره ای به فیزیک زیرین ایجاد می کنند.
سیزدهمین کنفرانس بین المللی نیمه هادی های با شکاف باریک (NGS-) 13) در دانشگاه سوری، گیلدفورد، انگلستان در ژوئیه 2007 برگزار شد. این کنفرانس متخصصان و دانشمندان جوان را گرد هم آورد تا در مورد آخرین یافته ها و پیشرفت ها در این زمینه بحث کنند. این کتاب حاوی مقالات دعوت شده و مشارکتی است که در این نشست ارائه شده است و در خدمت ارائه یک نمای کلی از فعالیت های جاری در سراسر جهان در تحقیقات نیمه هادی با شکاف باریک است. موضوعات تحت پوشش عبارتند از فیزیک نظری و مواد نیمه هادی های با شکاف باریک و ناهمسان سازه های کوانتومی، پدیده های مرتبط با اسپین شامل دینامیک حامل و انتقال مغناطیسی، نانولوله های کربنی و گرافن به عنوان مواد جدید شکاف باریک، و همچنین فیزیک دستگاه شامل ترانزیستورها، مادون قرمز میانی و دور و مادون قرمز. آشکارسازها.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Narrow gap semiconductors have provided an exciting field of research and show a number of extreme physical and material characteristics. They are the established material systems for infrared detectors and emitters, and with new developments in the technology these materials are emerging as a viable route to high speed, low power electronics. New kinds of narrow gap semiconductor, such as graphene and other composite nanocrystals, are also providing renewed interest in the underlying physics.
The Thirteenth International Conference on Narrow Gap Semiconductors (NGS-13) was held at the University of Surrey, Guildford, UK in July 2007. The conference brought together experts and young scientists to discuss the latest findings and developments in the field. This book contains the invited and contributed papers which were presented at this meeting and serves to provide a broad overview of the current worldwide activities in narrow gap semiconductor research. The subjects covered are theoretical and material physics of narrow gap semiconductors and quantum heterostructures, spin related phenomenon including carrier dynamics and magnetotransport, carbon nanotubes and graphene as novel narrow gap material, as well as device physics including transistors, mid and far-infrared lasers and detectors.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages i-xvi
Gate Dependence of Spin-Splitting in an InSb/InAlSb Quantum Well....Pages 3-5
Photogalvanic Effects in HgTe Quantum Wells....Pages 7-9
Magnetic and Structural Properties of Ferromagnetic GeMnTe Layers....Pages 11-14
Control and Probe of Carrier and Spin Relaxations in InSb Based Structures....Pages 15-18
Density and Well-Width Dependence of the Spin Relaxation in n-InSb/AlInSb Quantum Wells....Pages 19-21
Dependence of Layer Thickness on Magnetism and Electrical Conduction in Ferromagnetic (In,Mn)As/GaSb Heterostructures....Pages 23-26
Temperature Dependence of the Electron Lande g-Factor in InSb....Pages 27-29
Anomalous Spin Splitting of Electrons in InSb Type-II Quantum Dots in an InAs Matrix....Pages 31-33
Measurement of the Dresselhaus and Rashba Spin-Orbit Coupling Via Weak Anti-Localization in InSb Quantum Wells....Pages 35-38
Picosecond Carrier Dynamics in Narrow-Gap Semiconductors studied by Terahertz Radiation Pulses....Pages 41-43
Band Structure of InSbN and GaSbN....Pages 45-47
Growth and Characterisation of Dilute Antimonide Nitride Materials for Long Wavelength Applications....Pages 49-51
Electron Interband Breakdown in a Kane Semiconductor with a Degenerate Hole Distribution....Pages 53-56
InMnAs Quantum Dots: A Raman Spectroscopy Analysis....Pages 57-60
Conduction Band States in AlP/GaP Quantum Wells....Pages 61-63
Growth of InAsSb Quantum Wells by Liquid Phase Epitaxy....Pages 65-68
Diode Lasers for Free Space Optical Communications Based on InAsSb/InAsSbP Grown by LPE....Pages 69-72
Epitaxial Growth and Characterization of PbGeEuTe Layers....Pages 73-75
Monte Carlo Simulation of Electron Transport in PbTe....Pages 77-79
L -Band-Related Interband Transition in InSb/GaSb Self-Assembled Quantum Dots....Pages 81-83
Antimony Distribution in the InSb/InAs QD Heterostructures....Pages 85-87
Transport Properties of InAs 0.1 Sb 0.9 Thin Films Sandwiched by Al 0.1 In 0.9 Sb Layers Grown on GaAs(100) Substrates by Molecular Beam Epitaxy....Pages 89-92
Modelling of Photon Absorption and Carrier Dynamics in HgCdTe under mid-IR Laser Irradiation....Pages 93-95
Monte Carlo Study of Transport Properties of InN....Pages 97-100
New Type of Combined Resonance in p-PbTe....Pages 101-103
Theory of Third-Order Optical Susceptibility of Single-Wall Carbon Nanotubes With Account of Coulomb Interaction....Pages 107-109
Unveiling the Magnetically Induced Field-Effect in Carbon Nanotubes Devices....Pages 111-113
Transient Zitterbewegung of Electrons in Graphene and Carbon Nanotubes....Pages 115-117
Cross-Polarized Exciton Absorption in Semiconducting Carbon Nanotubes....Pages 119-121
Self-Assembled InSb/InAs Quantum Dots for the Mid-Infrared Spectral Range 3–4 μm....Pages 125-127
InSb/InAs Nanostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy Using Sb 2 and As 2 Fluxes....Pages 129-131
Performance Evaluation of Conventional Sb-based Multiquantum Well Lasers operating above 3μm at Room Temperature....Pages 135-138
Electroluminescence From Electrically Pumped GaSb-Based VCSELs....Pages 139-141
Wavelength Tunable Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Based on Lead-Salts Grown by MBE....Pages 143-146
Farfield Measurements of Y-Coupled Quantum Cascade Lasers....Pages 147-149
Impact of Doping Density in Short-Wavelength InP-Based Strain-Compensated Quantum-Cascade Lasers....Pages 151-153
Magnetic Field Effects in InSb/Al x In 1−x Sb Quantum-Well Light-Emitting Diodes....Pages 155-157
Electroluminescence From InSb-Based Mid-Infrared Quantum Well Lasers....Pages 159-161
InAs Quantum Hot Electron Transistor....Pages 163-165
Easy-to-Use Scalable Antennas for Coherent Detection of THz Radiation....Pages 167-169
Single Photon Detection in the Long Wave Infrared....Pages 171-176
High-Performance Fabry-Perot and Distributed-Feedback Interband Cascade Lasers....Pages 177-182
Mid-Infrared Lead-Salt VECSEL (Vertical External Cavity Surface Emitting Laser) for Spectroscopy....Pages 183-186
Optically Pumped GaSb-Based VECSELs....Pages 187-192
Cyclotron Resonance Photoconductivity of a Two-Dimensional Electron Gas in HgTe Quantum Wells....Pages 195-198
Extrinsic Electrons and Carrier Accumulation in Al x In 1−x Sb/InSb Quantum Wells: Well-Width Dependence....Pages 199-201
Negative and Positive Magnetoresistance in Variable-Range Hopping Regime of Undoped Al x In 1−x Sb/InSb Quantum Wells....Pages 203-207
Semimetal-Insulator Transition in Two-Dimensional System at the Type II Broken-Gap InAs/GalnAsSb Single Heterointerface....Pages 209-211
Magnetoexcitons in Strained InSb Quantum Wells....Pages 213-215
Back Matter....Pages 216-216
