Charged Semiconductor Defects: Structure, Thermodynamics and Diffusion

خواص مفید فن آوری یک جامد اغلب به انواع و غلظت عیوب موجود در آن بستگی دارد. جای تعجب نیست که عیوب در نیمه هادی ها برای سال ها مورد مطالعه قرار گرفته اند، در بسیاری از موارد با هدف کنترل رفتار آنها از طریق اشکال مختلف "مهندسی نقص". به عنوان مثال، به طور عمده، شارژ به طور قابل توجهی بر غلظت کل عیوب تأثیر می گذارد. برای واسطه گری پدیده هایی مانند انتشار حالت جامد در دسترس هستند. عیوب سطحی نقش مهمی در انتقال جرم سطحی در طی مراحل پردازش در دمای بالا از جمله رسوب لایه همپایی، هموارسازی انتشار در جریان مجدد و تشکیل نانوساختار در ساخت دستگاه حافظه دارند.

نقص نیمه هادی شارژ شده

EM>وضعیت دانش فعلی را در مورد خواص عیوب یونیزه که می‌تواند بر رفتار ترانزیستورهای پیشرفته، دستگاه‌های فعال عکس، کاتالیزورها و حسگرها تأثیر بگذارد، توضیح می‌دهد.

ویژگی‌ها:

• گروه IV، III-V و نیمه هادی های اکسیدی.
• عیب های درونی و بیرونی; و
• عیب های نقطه ای و همچنین جفت ها، مجتمع ها و خوشه های نقص.

یک مرجع حیاتی برای دانشمندان مواد، دانشمندان سطح، مهندسان برق و فیزیکدانان حالت جامد که به دنبال رویکرد به موضوع شارژ نقص از دیدگاه مهندسی شیمی یکپارچه هستند. . محققان و متخصصان صنعتی به طور یکسان محتوای آن را برای بهینه‌سازی دستگاه و فرآیند ارزشمند می‌دانند.

The technologically useful properties of a solid often depend upon the types and concentrations of the defects it contains. Not surprisingly, defects in semiconductors have been studied for many years, in many cases with a view towards controlling their behavior through various forms of "defect engineering." For example, in the bulk, charging significantly affects the total concentration of defects that are available to mediate phenomena such as solid-state diffusion. Surface defects play an important role in mediating surface mass transport during high temperature processing steps such as epitaxial film deposition, diffusional smoothing in reflow, and nanostructure formation in memory device fabrication.

Charged Semiconductor Defects details the current state of knowledge regarding the properties of the ionized defects that can affect the behavior of advanced transistors, photo-active devices, catalysts, and sensors.

Features:

• Group IV, III-V, and oxide semiconductors;
• Intrinsic and extrinsic defects; and,
• Point defects, as well as defect pairs, complexes and clusters.

A crucial reference for materials scientists, surface scientists, electrical engineers, and solid-state physicists looking to approach the topic of defect charging from an integrated chemical engineering perspective. Researchers and industrial practitioners alike will find its content invaluable for device and process optimization.