Strain Effect in Semiconductors: Theory and Device Applications

اثر کرنش در نیمه هادی ها: تئوری و کاربردهای دستگاه اصول و کاربردهای کرنش در نیمه هادی ها و دستگاه های نیمه هادی را ارائه می دهد که برای فناوری پیشرفته CMOS با کرنش و MEMS پیزومقاومتی مبتنی بر کرنش مرتبط است. مبدل ها این کتاب کاربردهای مربوط به کرنش را مورد بحث قرار می‌دهد و در عین حال بر روی فیزیک بنیادی تمرکز می‌کند، زیرا آنها مربوط به نانو دستگاه‌های حجیم، مسطح و مقیاس‌شده هستند. نویسندگان اصلی یونگکه سان، اسکات تامپسون و توشیکازو نیشیدا نیز:

• درمان فیزیک کرنش در سطح کیفی کلی و همچنین ارائه مبانی مفصل
• توضیح فیزیک کرنش مرتبط با منطق دستگاه‌ها و همچنین MEMS مبتنی بر کرنش

این کتاب به فناوری منطقی Si strained فعلی و همچنین برای درک فیزیک و مقیاس‌بندی دستگاه‌های در مقیاس نانو کرنش در آینده مرتبط است. این برای مهندسین دستگاه در تولید کنندگان نیمه هادی و همچنین دانشجویان فارغ التحصیل در حال تحصیل در رشته فیزیک دستگاه در دانشگاه ها عالی است.

Strain Effect in Semiconductors: Theory and Device Applications presents the fundamentals and applications of strain in semiconductors and semiconductor devices that is relevant for strain-enhanced advanced CMOS technology and strain-based piezoresistive MEMS transducers. The book discusses relevant applications of strain while also focusing on the fundamental physics as they pertain to bulk, planar, and scaled nano-devices. Lead authors Yongke Sun, Scott Thompson and Toshikazu Nishida also:

• Treat strain physics at both the qualitative overview level as well as provide detailed fundamentals
• Explain strain physics relevant to logic devices as well as strain-based MEMS

This book is relevant to current strained Si logic technology, as well as for understanding the physics and scaling of future strain nano-scale devices. It is perfect for practicing device engineers at semiconductor manufacturers, as well as graduate students studying device physics at universities.