Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics: Thermal and Electrical Stability

ویرایش: 1 
نویسندگان: Ming He. Toh-Ming Lu (auth.)  
سری: Springer Series in Materials Science 157 
ISBN (شابک) : 9781461418115, 9781461418122 
ناشر: Springer-Verlag New York 
سال نشر: 2012 
تعداد صفحات: 154 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 6 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 51,000



رابط های فلز-دی الکتریک در الکترونیک مدرن همه جا وجود دارد. از آنجایی که دستگاه‌های الکترونیکی پیشرفته در مقیاس گیگا به کوچک شدن ادامه می‌دهند، پایداری این رابط‌ها به یک موضوع مهم تبدیل می‌شود که تأثیر عمیقی بر قابلیت اطمینان عملیاتی این دستگاه‌ها دارد. در این کتاب، نویسندگان علوم پایه را در زمینه پایداری حرارتی و الکتریکی رابط های فلز-دی الکتریک و رابطه آن با عملکرد سیستم های اتصال پیشرفته در الکترونیک مقیاس گیگا ارائه می دهند. پدیده های رابط، از جمله واکنش های شیمیایی بین فلزات و دی الکتریک ها، انتشار اتم فلزی، و رانش یون، بر اساس اصول فیزیکی و شیمیایی اساسی مورد بحث قرار می گیرند. نمودارهای شماتیک در سراسر کتاب برای نشان دادن پدیده های رابط و اصول حاکم بر آنها ارائه شده است.

رابط های فلز-دی الکتریک در Gigascale Electronics یک رویکرد واحد به نتایج آزمایش های متنوع و گاه متناقض ارائه می دهد که در ادبیات رابط های فلز-دی الکتریک گزارش شده است. هدف این است که به خوانندگان گزارش روشنی از رابطه بین علم رابط و کاربردهای آن در ساختارهای اتصال ارائه شود. مطالب ارائه شده در اینجا برای کسانی که در تحقیق در مورد ترانزیستور اثر میدانی و دستگاه ممریستور و همچنین محققان دانشگاه و دانشمندان صنعتی که در زمینه پردازش مواد الکترونیکی، تولید نیمه هادی ها، تراشه های حافظه و طراحی IC کار می کنند، جالب خواهد بود. /p>

Metal-dielectric interfaces are ubiquitous in modern electronics. As advanced gigascale electronic devices continue to shrink, the stability of these interfaces is becoming an increasingly important issue that has a profound impact on the operational reliability of these devices. In this book, the authors present the basic science underlying the thermal and electrical stability of metal-dielectric interfaces and its relationship to the operation of advanced interconnect systems in gigascale electronics. Interface phenomena, including chemical reactions between metals and dielectrics, metallic-atom diffusion, and ion drift, are discussed based on fundamental physical and chemical principles. Schematic diagrams are provided throughout the book to illustrate interface phenomena and the principles that govern them.

Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics provides a unifying approach to the diverse and sometimes contradictory test results that are reported in the literature on metal-dielectric interfaces. The goal is to provide readers with a clear account of the relationship between interface science and its applications in interconnect structures. The material presented here will also be of interest to those engaged in field-effect transistor and memristor device research, as well as university researchers and industrial scientists working in the areas of electronic materials processing, semiconductor manufacturing, memory chips, and IC design.

Front Matter....Pages i-xi
Introduction....Pages 1-9
Metal–Dielectric Diffusion Processes: Fundamentals....Pages 11-22
Experimental Techniques....Pages 23-44
Al-Dielectric Interfaces....Pages 45-55
Cu-Dielectric Interfaces....Pages 57-74
Barrier Metal–Dielectric Interfaces....Pages 75-89
Self-Forming Barriers....Pages 91-108
Kinetics of Ion Drift....Pages 109-125
Time-Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) and Future Directions....Pages 127-145
Back Matter....Pages 147-149