Gate Dielectrics and MOS ULSIs: Principles, Technologies and Applications

Gate Dielectrics و MOS ULSIsاطلاعات لازم و کافی را برای کسانی که می خواهند به خوبی بدانند و فراتر از دی الکتریک گیت SiO2 معمولی باشند، ارائه می دهد. موضوعات به ویژه بر روی فیلم های دی الکتریک که کیفیت برتر مورد نیاز برای دی الکتریک های گیت را حتی در یکپارچگی در مقیاس بزرگ برآورده می کنند، تمرکز دارند. و از آنجایی که الزامات کیفیت بین برنامه‌های کاربردی دستگاه متفاوت است، آنها به روشی کاربردی انتخاب می‌شوند، به عنوان مثال، SiO2 معمولی مورد استفاده در مدارهای منطقی CMOS، اکسیدهای نیترید که اخیراً برای حافظه‌های فلش ضروری شده‌اند، و فیلم‌های ONO و فروالکتریک کامپوزیت برای خازن های غیرفعال مورد استفاده در برنامه های DRAM. این کتاب همچنین موضوعات مشترک برای همه دی الکتریک های دروازه، مانند فیزیک ماسفت، ارزیابی، مقیاس بندی، و کاربرد/ادغام دستگاه برای توسعه موفقیت آمیز را پوشش می دهد. اطلاعات تا حد امکان به روز است، به خصوص برای فیلم های گیت-دی الکتریک فوق نازک برد نانومتری که در ULSI های زیر میکرومتری ضروری هستند. متن همراه با تصاویر فراوان حتی خواننده بی تجربه را به سطح بالای هنر فعلی می برد. این اولین کتابی است که اکسیدهای دروازه نیترید را با جزئیات ارائه می کند.

Gate Dielectrics and MOS ULSIs provides necessary and sufficient information for those who wish to know well and go beyond the conventional SiO2 gate dielectric. The topics particularly focus on dielectric films satisfying the superior quality needed for gate dielectrics even in large-scale integration. And since the quality requirements are rather different between device applications, they are selected in an applicatipn-oriented manner, e.g., conventional SiO2 used in CMOS logic circuits, nitrided oxides, which recently became indispensable for flash memories, and composite ONO and ferroelectric films for passive capacitors used in DRAM applications. The book also covers issues common to all gate dielectrics, such as MOSFET physics, evaluation, scaling, and device application/integration for successful development. The information is as up to date as possible, especially for nanometer-range ultrathin gate-dielectric films indispensible in submicrometer ULSIs. The text together with abundant illustrations will take even the inexperienced reader up to the present high state of the art. It is the first book presenting nitrided gate oxides in detail.