Nitride Semiconductors and Devices

دیدگاهی از گذشته و نگاهی به آینده توسط یک پیشگام نوشته ژاک I. Pankove این پیشگفتار مروری کوتاه بر تحولات مهم در تاریخ اولیه و اخیر نیترید گالیوم و همچنین دیدگاهی در مورد فعلی خواهد بود. و تکامل آینده این رشته هیجان انگیز. نیترید گالیم (GaN) بیش از 50 سال پیش توسط جانسون و همکارانش تعیین شد. [1] در سال 1932، و همچنین توسط جوزا و هان [2] در سال 1938، که آمونیاک را از گالیم داغ عبور دادند. این روش سوزن‌ها و پلاکت‌های کوچکی تولید کرد. هدف جوزا و هان بررسی ساختار بلوری و ثابت شبکه GaN به عنوان بخشی از مطالعه سیستماتیک بسیاری از ترکیبات بود. دو دهه بعد، گریم ال. [3] در سال 1959 از همین روش برای تولید ساقه های کوچک Cry meiss et stals از GaN به منظور اندازه گیری طیف نورتابی آنها استفاده کرد. یک دهه بعد، Maruska و Tietjen [4] در سال 1969 از روش انتقال کلرید بخار برای ساختن یک لایه بزرگ از GaN بر روی یاقوت کبود استفاده کردند. تمام GaN ساخته شده در آن زمان بسیار رسانا از نوع n بود حتی زمانی که به طور عمدی دوپ نشده بود. اعتقاد بر این بود که اهداکنندگان جای خالی نیتروژن هستند. بعداً این مدل توسط سیفرت و همکاران مورد سوال قرار گرفت. [5] در سال 1983، و اکسیژن به عنوان اهدا کننده حرفه ای بود. اکسیژن با 6 الکترون ظرفیت خود در یک مکان N (N دارای 5 الکترون ظرفیت موقعیتی است) یک دهنده خواهد بود.

A View of the Past, and a Look into the Future by a Pioneer By Jacques I. Pankove This forword will be a brief review of important developments in the early and recent history of gallium nitride, and also a perspective on the current and future evolution of this exciting field. Gallium nitride (GaN) was syn­ thesized more than 50 years ago by Johnson et al. [1] in 1932, and also by Juza and Hahn [2] in 1938, who passed ammonia over hot gallium. This method produced small needles and platelets. The purpose of Juza and Hahn was to investiagte the crystal structure and lattice constant of GaN as part of a systematic study of many compounds. Two decades later, Grim­ al. [3] in 1959 employed the same technique to produce small cry­ meiss et stals of GaN for the purpose of measuring their photoluminescence spectra. Another decade later Maruska and Tietjen [4] in 1969 used a chloride trans­ port vapor technique to make a large-area layer of GaN on sapphire. All of the GaN made at that time was very conducting n-type even when not deli­ berately doped. The donors were believed to be nitrogen vacancies. Later this model was questioned by Seifert et al. [5] in 1983, and oxygen was pro­ as the donor. Oxygen with its 6 valence electrons on a N site (N has 5 posed valence electrons) would be a single donor.