ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Advances in Scanning Probe Microscopy

دانلود کتاب پیشرفت در میکروسکوپ پروب اسکن

Advances in Scanning Probe Microscopy

مشخصات کتاب

Advances in Scanning Probe Microscopy

ویرایش: 1 
نویسندگان: , , ,   
سری: Advances in Materials Research 2 
ISBN (شابک) : 9783642630842, 9783642569494 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 2000 
تعداد صفحات: 350 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 12 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 47,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب پیشرفت در میکروسکوپ پروب اسکن: سطوح و رابط ها، لایه های نازک، مواد نوری و الکترونیکی، فیزیک حالت جامد، طیف سنجی و میکروسکوپ، نانوتکنولوژی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 17


در صورت تبدیل فایل کتاب Advances in Scanning Probe Microscopy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب پیشرفت در میکروسکوپ پروب اسکن نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب پیشرفت در میکروسکوپ پروب اسکن



این کتاب چندین مورد از مهم ترین موضوعات مورد علاقه کنونی را در خط مقدم میکروسکوپ کاوشگر روبشی پوشش می دهد. اینها شامل نظریه واقعی میکروسکوپ نیروی اتمی با تفکیک اتمی (AFM)، اصول رشد MBE نیمه هادی های مرکب III-V و دستکاری اتمی برای دستگاه های تک الکترونی آینده است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book covers several of the most important topics of current interest in the forefront of scanning probe microscopy. These include a realistic theory of atom-resolving atomic force microscopy (AFM), fundamentals of MBE growth of III-V compound semiconductors and atomic manipulation for future single-electron devices.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages I-XIV
Theory of Scanning Probe Microscopy....Pages 1-41
The Theoretical Basis of Scanning Tunneling Microscopy for Semiconductors — First-Principles Electronic Structure Theory for Semiconductor Surfaces....Pages 43-64
Atomic Structure of 6H-SiC (0001) and (000 $$\bar{1}$$ )....Pages 65-90
Application of Atom Manipulation for Fabricating Nanoscale and Atomic-Scale Structures on Si Surfaces....Pages 91-112
Theoretical Insights into Fullerenes Adsorbed on Surfaces: Comparison with STM Studies....Pages 113-142
Apparent Barrier Height and Barrier-Height Imaging of Surfaces....Pages 143-165
Mesoscopic Work Function Measurement by Scanning Tunneling Microscopy....Pages 167-191
Scanning Tunneling Microscopy of III–V Compound Semiconductor (001) Surfaces....Pages 193-282
Adsorption of Fullerenes on Semiconductor and Metal Surfaces Investigated by Field-Ion Scanning Tunneling Microscopy....Pages 283-338
Back Matter....Pages 339-341




نظرات کاربران