دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: G. Demazeau (auth.), Hans D. Hochheimer, Bogdan Kuchta, Peter K. Dorhout, Jeffery L. Yarger (eds.) سری: NATO Science Series 48 ISBN (شابک) : 9781402001604, 9789401005203 ناشر: Springer Netherlands سال نشر: 2001 تعداد صفحات: 555 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 46 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مرزهای تحقیقات فشار بالا II: کاربرد فشار بالا برای مواد الکترونیکی جدید با ابعاد پایین: است
در صورت تبدیل فایل کتاب Frontiers of High Pressure Research II: Application of High Pressure to Low-Dimensional Novel Electronic Materials به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مرزهای تحقیقات فشار بالا II: کاربرد فشار بالا برای مواد الکترونیکی جدید با ابعاد پایین نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
در تعاملات اخیر با شرکتهای صنعتی کاملاً آشکار شد که جستجو برای مواد جدید با خواص ناهمسانگرد قوی برای توسعه دستگاههای الکترونیکی و مغناطیسی پیشرفته جدید اهمیت بالایی دارد. سوالات مربوط به خیاطی مواد با هدایت الکتریکی و حرارتی ناهمسانگرد بزرگ بارها و بارها پرسیده شد. همچنین کاملاً مشخص شد که فرصت پاسخ به این سؤالات و یافتن مواد جدیدی که دارای این خواص مطلوب هستند، مستلزم همکاری نزدیک بین دانشمندان رشته های مختلف است. تکنیکهای مودم سنتز مواد کنترلشده و پیشرفتها در اندازهگیری و مدلسازی روشن کرده است که پیچیدگی چند مقیاسی ذاتی مواد الکترونیکی پیچیده، هم آلی و هم غیرآلی است. یک رویکرد یکپارچه برای کلاسهای این مواد به فوریت مورد نیاز است، که نیاز به ورودی بینرشتهای از شیمی، علم مواد و فیزیک حالت جامد دارد. فقط از این طریق می توان آنها را برای تقاضاهای سختگیرانه فزاینده فناوری کنترل کرد و مورد بهره برداری قرار داد. پیچیدگی مکانی و زمانی توسط جفتهای قوی و اغلب رقابتی بین درجههای آزادی اسپین، شارژ و شبکه ایجاد میشود که روابط ساختار-عملکرد را تعیین میکند. ماهیت این کوپلینگ ها تابعی حساس از برهمکنش های الکترون-الکترون، الکترون-شبکه و اسپین-شبکه است. نویز و بی نظمی، میدان های خارجی (مغناطیسی، نوری، فشار و غیره) و ابعاد. به طور خاص، این تأثیرات فیزیکی حالتهای پایه تقارن شکسته (بار و چرخش مرتب، فروالکتریک، ابررسانا)، انتقال فلز به عایق، و تحریکات را با توجه به تقارنهای شکسته ایجاد شده توسط دوپینگ شیمیایی یا فوتو، به ویژه به شکل خود به دام انداختن پلارونیک یا اکسیتونیک.
In recent interactions with industrial companies it became quite obvious, that the search for new materials with strong anisotropic properties are of paramount importance for the development of new advanced electronic and magnetic devices. The questions concerning the tailoring of materials with large anisotropic electrical and thermal conductivity were asked over and over again. It became also quite clear that the chance to answer these questions and to find new materials which have these desired properties would demand close collaborations between scientists from different fields. Modem techniques ofcontrolled materials synthesis and advances in measurement and modeling have made clear that multiscale complexity is intrinsic to complex electronic materials, both organic and inorganic. A unified approach to classes of these materials is urgently needed, requiring interdisciplinary input from chemistry, materials science, and solid state physics. Only in this way can they be controlled and exploited for increasingly stringent demands oftechnology. The spatial and temporal complexity is driven by strong, often competing couplings between spin, charge and lattice degrees offreedom, which determine structure-function relationships. The nature of these couplings is a sensitive function of electron-electron, electron-lattice, and spin-lattice interactions; noise and disorder, external fields (magnetic, optical, pressure, etc. ), and dimensionality. In particular, these physical influences control broken-symmetry ground states (charge and spin ordered, ferroelectric, superconducting), metal-insulator transitions, and excitations with respect to broken-symmetries created by chemical- or photo-doping, especially in the form of polaronic or excitonic self-trapping.
Front Matter....Pages i-xxi
Stabilization of Unusual Oxidation States of Transition Metals in Oxygen Lattices: Correlations with the Induced Electronic Phenomena....Pages 1-11
Synthesis of Low Dimensional F-Element Chalcogenide Compounds....Pages 13-27
Synthesis and high-pressure behavior of C 6 N 9 H 3 •HCl: A graphitic material with a two-dimensional C-N network....Pages 29-43
Plasma Polymerization of thin Films using Aniline and P-Xylene Precursors....Pages 45-52
Compressibility, pressure-induced amorphisation and thermal collapse of zeolites....Pages 53-71
Pressure-induced H -transfers in the networks of hydrogen bonds....Pages 73-85
The Light Elements at High Pressure, in Layered Form, and in Combination....Pages 87-97
Pressure Induced Phase Transitions in GaSe-, TlGaSe 2 - and CdGa 2 S 4 -type Crystals....Pages 99-118
Influence of Pressure on the Physical Properties of Chain TISe-type Crystals....Pages 119-129
Impedance Spectroscopy at Super High Pressures....Pages 131-141
Optical properties of A 2 CuCl 4 layer perovskites under pressure. Structural correlations....Pages 143-153
The effect of pressure-induced collapse of correlation and Hund’s rules on structure and electronic properties of transition-metal compounds....Pages 155-166
Pressure Tuning of Condensation and Ordering of Charge-Transfer Strings....Pages 167-178
From Ferroelectric to Quantum Paraelectric: KTa 1-x Nb x O 3 (KTN), a Model System....Pages 179-188
Quartz Like Phases in CO 2 at Very High Pressure from ab initio Simulations....Pages 189-200
Progress in Experimental Studies of Insulator-Metal Transitions at Multimegabar Pressures....Pages 201-216
Solid oxygen as low dimensional system by spectroscopic studies....Pages 217-234
Evolution of Rotational Spectrum in Solid Hydrogen with Pressure: Implications for Conversion and Other Properties....Pages 235-250
An Influence of the Pressure on Metastability of the HCP Phase of Solid Nitrogen....Pages 251-261
X-ray Study of Strain Relaxation in Heteroepitaxial Layers of Semiconductors Annealed under High Hydrostatic Pressure....Pages 263-274
Application of High Temperature—Pressure Treatment for Investigation of Defect Creation in Basic. Materials of Modern Microelectronics: Czochralski Silicon and Silicon Containing Films....Pages 275-289
Pressure-Induced Phase Transformations In Semiconductors Under Contact Loading....Pages 291-302
Far-Infrared Spectroscopy of Quasi-2D Impurity States in Semiconductor Nanostructures Under High Hydrostatic Pressure....Pages 303-319
Probing the Effects of Three-Dimensional Confinement on the Electronic Structure of InP Under Hydrostatic Pressure....Pages 321-329
Pressure Studies in InGaN/GaN Quantum Wells....Pages 331-343
What High Pressure Studies Have Taught us About High-Temperature Superconductivity....Pages 345-360
Anisotropic low-dimensional superconductors close to an electronic topological transition....Pages 361-370
Pressure-Induced Superconducting Phase Separation in Oxygen-Doped La 2-x Sr x CuO 4+δ ....Pages 371-382
Coexistence of Antiferromagnetic order and Superconductivity in the Spin Ladder System Sr 2.5 Ca 11.5 Cu 24 O 41 ....Pages 383-396
Effect of Pressure on Magnetism in Correlated-Electron Systems and the Role of Dimensionality in Ce n RhIn 3n+2 (n=l,2 or ∞)....Pages 397-411
Pressure Effects on Unconventional Superconductivity in Electronically Low Dimensional Compounds CeTIn 5 (T: Ir, Co)....Pages 413-422
Pressure-induced superconductivity in the spin-Peierls compound (TMTTF) 2 PF 6 ....Pages 423-435
Critical behavior of metal-insulator transition in manganites....Pages 437-450
Pressure Effect on the Magnetic Phase Diagram of La 1.4 Sr 1.6 Mn 2 O 7 ....Pages 451-461
Resistance and Magnetoresistance of UIrGe under High Pressure....Pages 463-472
In situ Raman Investigations of Single-Wall Carbon Nanotubes Pressurized in Diamond Anvil Cell....Pages 473-482
Pressure Effect on Electrical Properties and Photoluminescence Spectra of Solid C 60 and C 70 Fullerenes....Pages 483-491
Raman, x-ray diffraction, and photoemission measurements on C 60 and doped C 60 films....Pages 493-505
Raman Spectroscopic Studies in Polymeric Fullerenes Under Pressure....Pages 507-520
Optical Properties of Hydrofullerene C 60 H 36 Underpressure....Pages 521-532
High-Pressure Brillouin Spectroscopy Using an Angle Dispersive Fabry-Perot Interferometer....Pages 533-540
Multi-electron Bubbles under Pressure....Pages 541-549
Back Matter....Pages 551-557