Einstein Relation in Compound Semiconductors and their Nanostructures

این اولین کتابی است که صرفاً به رابطه انیشتین در نیمه هادی های مرکب و نانوساختارهای آنها اختصاص دارد. مواد در نظر گرفته شده عبارتند از: نوری غیرخطی، III-V، سه تایی، چهارتایی، II-VI، IV-VI، بیسموت، ترکیبات تحت تنش، چاه های کوانتومی، سیم های کوانتومی، ساختارهای نیپی، نانولوله های کربنی، نیمه هادی های با دوپ شدید، لایه های وارونه، ابرشبکه های غیرپارابولیک. مواد با رابط های درجه بندی شده تحت کوانتیزاسیون مغناطیسی، ابرشبکه های سیم کوانتومی با ساختارهای نواری مختلف و سایر سیستم های کمک به میدان. تأثیر نور بر رابطه انیشتین در نیمه هادی ها و نانوساختارهای آنها نیز با فرمول بندی روابط پراکندگی مربوطه که انتقال را در چنین دستگاه های اثر کوانتومی کنترل می کند، به تفصیل مورد بررسی قرار گرفته است. این کتاب به بسیاری از مسائل تحقیق باز می پردازد.

This is the first book solely devoted to the Einstein relation in compound semiconductors and their nanostructures. The materials considered are nonlinear optical, III-V, ternary, quaternary, II-VI, IV-VI, Bismuth, stressed compounds, quantum wells, quantum wires, nipi structures, carbon nanotubes, heavily doped semiconductors, inversion layers, superlattices of nonparabolic materials with graded interfaces under magnetic quantization, quantum wire superlattices with different band structures and other field assisted systems. The influence of light on the Einstein relation in semiconductors and their nanostructures has also been investigated in detail by formulating the respective dispersion relations which control the transport in such quantum effect devices. The book deals with many open research problems.